FZ2400R12HP4

Modulo IGBT half-bridge 1200 V / 2400 A per applicazioni industriali, con diodo antiparallelo integrato e bassa resistenza termica giunzione-case.<h3>Dati tecnici</h3><table> <thead> <tr> <th>Parametro</th> <th>Valore</th> <th>Note</th> </tr> </thead> <tbody> <tr><td>Tipo</td><td>IGBT Module (Half-Bridge)</td><td>—</td></tr> <tr><td>Vces max</td><td>1200 V</td><td>Tensione di blocco</td></tr> <tr><td>Ic nominale</td><td>2400 A</td><td>per canale</td></tr> <tr><td>Vge ammessa</td><td>±20 V</td><td>±15 V tipico in servizio</td></tr> <tr><td>Vce(sat)</td><td>≈ 2.1 V</td><td>@ 1200 A, 25°C (tip.)</td></tr> <tr><td>Eon + Eoff</td><td>≈ 80 mJ</td><td>@ 1200 A, 600 V (tip.)</td></tr> <tr><td>Tj max</td><td>150 °C</td><td>Temperatura di giunzione</td></tr> <tr><td>RthJC</td><td>0.008 K/W</td><td>Giunzione → case</td></tr> <tr><td>Diodo antiparallelo</td><td>Integrato</td><td>Vf ≈ 1.8 V</td></tr> <tr><td>Isolamento</td><td>4 kV AC</td><td>1 minuto</td></tr> <tr><td>Package</td><td>IHM / High Power</td><td>Baseplate isolata</td></tr> <tr><td>Dimensioni</td><td>190 × 140 × 30 mm</td><td>Indicative</td></tr> <tr><td>Peso</td><td>1.6 kg</td><td>Indicativo</td></tr> </tbody></table><p style="margin-top:8px;font-size:0.95em;color:#555">Nota: valori indicativi; fare sempre riferimento alla documentazione tecnica prima di definire limiti operativi.</p>