SKM300GAR12E4

SKM300GAR12E4

Caratteristiche tecniche del modulo SEMITRANS® 3 SKM300GAR12E4:

• Tipo di IGBT: 4ª generazione medium fast trench IGBT (Infineon).
• Diodo CAL: Soft switching 4ª generazione CAL-diode.
• Base isolata: Base in rame isolata con tecnologia DBC (Direct Bonded Copper).
• Resistenza integrata: Resistenza di gate integrata.
• Frequenza di commutazione: Fino a 12 kHz.
• Temperatura operativa: -40°C ... +150°C.
• Temperatura massima del case: Tc = 125°C.
• Affidabilità: Risultati validi per Tj = 150°C.
• Corrente nominale: ICnom = 300 A.
• Corrente massima: ICRM = 900 A.
• Tensione di blocco: VCES = 1200 V.
• Tensione di gate: VGES = -20 ... 20 V.
• Resistenza termica: Rth(j-c) per IGBT = 0.11 K/W, per diodo = 0.17 K/W.
• Capacità di isolamento: Visol = 4000 V (AC sinus 50 Hz, 1 min).
• Peso: 325 g.
• Applicazioni tipiche: Convertitori DC/DC, Brake chopper, Motori a riluttanza commutata.