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FZ1200R12HP4
SKU FZ1200R12HP4
Modulo IGBT half-bridge 1200 V / 1200 A per applicazioni industriali. Diodo antiparallelo integrato. Nessun link a datasheet incluso.
Dati tecnici
| Parametro | Valore | Note |
|---|---|---|
| Tipo | IGBT Module (Half-Bridge) | — |
| Vces max | 1200 V | Tensione di blocco |
| Ic nominale | 1200 A | per canale |
| Vge ammessa | ±20 V | VGES |
| Vce(sat) tip. | ≈ 2.00 V | @ 1200 A, 25 °C |
| Eon tip. | ≈ 155 mJ | @ 1200 A, 600 V, 150 °C |
| Eoff tip. | ≈ 265 mJ | @ 1200 A, 600 V, 150 °C |
| Tj operativa | -40…+150 °C | Tvj op |
| RthJC IGBT | 0.021 K/W | per IGBT |
| RthJC Diode | 0.035 K/W | per diodo |
| Isolamento | 4 kV AC | 1 minuto |
| Package | IHM‑B | Baseplate isolata |
Nota: valori tipici dai datasheet; verificare sempre la documentazione tecnica prima di definire i limiti operativi.
QUANTITY
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