top of page
Foind S.r.l.
Scommettiamo oggi nelle sfide di domani cercando di essere costantemente al passo con l'avanzamento tecnologico.
Contatti
Sede
Corso Europa, 74023
Grottaglie (TA) Italia
© 2025 Tutti i Diritti Riservati. Privacy Policy | Cookie Policy | P.IVA 02804170732
IGBT Infineon FF800R17KP4_B2
IGBT Power Module – FF800R17KP4_B2
Product code: FF800R17KP4_B2
Key Parameter Value
Category IGBT Power Module
Collector-Emitter Voltage (VCES) 1700 V
Nominal Collector Current (IC nom) 800 A
Maximum DC Collector Current (IC) 1200 A
Peak Collector Current (ICRM) 1600 A (tp = 1 ms)
Technology IGBT4 Trench / Fieldstop + Emitter Controlled Diode
Configuration Half-Bridge (IGBT + Freewheeling Diode)
Gate-Emitter Voltage (VGES) ±20 V
Richiedi info su questo prodotto:
Foind S.r.l.
Scommettiamo oggi nelle sfide di domani cercando di essere costantemente al passo con l'avanzamento tecnologico.
Contatti
Sede
Corso Europa, 74023
Grottaglie (TA) Italia
© 2025 Tutti i Diritti Riservati. Privacy Policy | Cookie Policy | P.IVA 02804170732
bottom of page