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IGBT Infineon FF600R17KE3_B2
Module IGBT Infineon FF600R17KE3_B2
Collector-emitter voltage (VCES) 1700 V
Nominal collector current (ICnom) 600 A
Repetitive peak collector current (ICRM) 1200 A
Collector-emitter saturation voltage (VCEsat) 2.00 V (typ., Tvj = 25 °C)
Turn-on energy (Eon) 125 mJ (typ., Tvj = 25 °C)
Turn-off energy (Eoff) 150 mJ (typ., Tvj = 25 °C)
Thermal resistance junction–case (RthJC) 29 K/kW (per IGBT)
Max operating junction temperature (Tvj) 125 °C
Isolation voltage (VISOL) 4000 V AC
Integrated freewheeling diode 1700 V / 600 A
Integrated temperature sensor –
Package: IGBT3 - E3 IHM module, AlSiC baseplate
Title:
FF600R17KE3_B2 | IGBT Module 1700V 600A – FOIND FF600R17KE3_B2 Infineon IGBT module 1700V 600A with integrated diode. FOIND solutions for industrial and traction drives.
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